IRF640 MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp

Artikelnummer: IRF640
Kategorie: Transistoren
Hersteller: Verschiedene Hersteller

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Beschreibung

IRF640

Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	180 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Abfallzeit:	25 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	11 S
Anstiegszeit:	27 ns

Markennennung

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Originalteilenummer

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Produkteigenschaft	Wert
Artikelgewicht:	0,01 kg