FZT655TA Bipolartransistor NPN 150V

Artikelnummer: FZT655TA
Kategorie: Transistoren
Hersteller: Diodes Incorporated

FZT655TA Bipolartransistor - BJT NPN High Voltage

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Beschreibung

FZT655TA

Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-223-4
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	150 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	150 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	7 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	180 mV
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	1 A
Pd - Verlustleistung:	2 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	30 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Kollektorgleichstrom:	1 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	50 at 10 mA, 5 V, 50 at 500 mA, 5 V, 20 at 1 A, 5 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	50

Markennennung

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Originalteilenummer

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Produkteigenschaft	Wert
Artikelgewicht:	0,01 kg