STP4NA80 N-Channel MOS Transistor

Artikelnummer: P4NA80
Kategorie: Transistoren
Hersteller: STMicroelectronics

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Beschreibung

STP4NA80

Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.4 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, + 30 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	110 W
Kanalmodus:	Enhancement
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4.3 S
Anstiegszeit:	70 ns

Markennennung

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Originalteilenummer

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Produkteigenschaft	Wert
Artikelgewicht:	0,01 kg