FZT655TA Bipolartransistor NPN 150V

Artikelnummer: FZT655TA
Kategorie: Transistoren
Hersteller: Diodes Incorporated

FZT655TA Bipolartransistor - BJT NPN High Voltage

0,50 €

exkl. 19% USt. , zzgl. (Warenpost)

ab	Stückpreis
100	0,40 €*

1000 Auf Lager
Lieferzeit: 1 - 2 Werktage (DE - Ausland abweichend)

Beschreibung

FZT655TA

Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-223-4
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	150 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	150 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	7 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	180 mV
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	1 A
Pd - Verlustleistung:	2 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	30 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Kollektorgleichstrom:	1 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	50 at 10 mA, 5 V, 50 at 500 mA, 5 V, 20 at 1 A, 5 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	50

Markennennung

Eine im Angebot benannte eingetragene Marke oder ein eingetragener Name steht ausschließlich dem jeweiligen Rechteinhaber zu. Die Benennung dient einzig der Verdeutlichung und genaueren Beschreibung des angebotenen Artikels.

Originalteilenummer

Eine benannte Teilenummer des Herstellers im Angebot, des Originalbauteils dient einzig der Verdeutlichung und genaueren Beschreibung des angebotenen Artikels.

Artikelgewicht:	0,01 kg